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东京应化 TOK TDUR?P3435 正性...
东京应化 TOK TDUR?P3435 正性 KrF 光刻胶
2026-04-17
艾锐孚(上海）新材料科技有限公司-华东地区化工原料与特种新材料代理供应商,东京应化（TOK）半导体光刻胶材料华东地区经销商，原厂原包，以优越的品质，合理的价格以及完善的售前售后服务得到新老客户的大力支持和好评，公司致力于化工产品和特种新材料产业的前沿技术和销售，联合众多进口化工品牌为客户打造最为舒适的服务。
TDUR?P3435 是东京应化（TOK）TDUR 系列 KrF 光刻胶的核心型号，248nm 波长、90–130nm 成熟制程，以高良率稳定性与大规模量产能力成为存储、电源、CIS 等领域的主力选型，全球市占率稳居前列，是 TOK 光刻胶业务中销量最大的单一产品线之一。
作为正性 KrF 光刻胶，TDUR?P3435 专为线路图形化设计，兼容金属沉积、离子注入等多场景加工，核心优势集中在分辨率、工艺窗口与良率稳定性。
东京应化 TOK TDUR?P3435核心应用场景：
TDUR?P3435 的销量根基源于成熟制程的海量需求，核心覆盖三大领域：
存储芯片：DRAM、3D NAND 的 90–130nm 制程节点，承担栅极、位线等关键图形化任务，良率稳定性适配 7×24 小时大规模量产，是存储厂家长期认证的主力胶种。
功率器件：IGBT、MOSFET 等电源器件的细线路加工，高耐刻蚀性与高附着性保障图形转移精度，适配汽车电子、工业电源的高可靠性需求。
CMOS 图像传感器（CIS）：130nm 节点的像素阵列与线路制作，高分辨率与低缺陷率助力提升成像画质，是 CIS 领域的核心选型之一。
艾锐孚(上海）新材料科技有限公司供应东京应化 TOK 光刻胶和薄膜成型材料：
东京应化（TOK）OFPR-800 通用 G/I 线正胶，高感度宽工艺窗口，用于 0.5μm?1μm 成熟制程、分立器件、PCB
东京应化（TOK）OFPR-5000 厚膜 G/I 线正胶，高附着高耐刻，用于 MEMS、封装凸块、传感器
东京应化（TOK）TSMR-V90 高分辨率 i 线正胶，低缺陷高精度，用于 0.35μm?0.5μm 逻辑、CIS、功率器件
东京应化（TOK）TSMR-2000 标准 i 线正胶，良率稳定通用性强，用于 0.35μm 晶圆代工、显示驱动 IC
东京应化（TOK）TSMR-8000 超高分辨率 i 线正胶，细线宽高均匀，用于 0.25μm?0.35μm 高端成熟制程
东京应化（TOK）TDMR-AR80 HP 厚膜 i 线正胶，高宽比高耐蚀，用于先进封装、厚膜光刻
东京应化（TOK）THMR-iPS100 高耐刻 i 线正胶，抗干法刻蚀强，用于 IGBT、MOSFET、离子注入掩模
东京应化（TOK）KrF（248nm）光刻胶（TDUR 系列）
东京应化（TOK）TDUR-P3435 标准 KrF 正胶，90?130nm 通用，良率极高，用于逻辑、DRAM、Flash 量产
东京应化（TOK）TDUR-P4197T 高分辨率 KrF 正胶，110nm 节点，线宽均匀，用于先进逻辑、低功耗芯片
东京应化（TOK）TDUR-P5000 厚膜 KrF 正胶，高宽比强附着，用于 130nm CIS、功率器件、厚膜层
东京应化（TOK）TDUR-P6000 低 LER KrF 正胶，高密度图形优，用于 90nm 存储、精细线路
东京应化（TOK）TDUR-N2000 KrF 负胶，高对比度抗刻蚀，用于接触孔、通孔、存储结构
东京应化（TOK）ArF（193nm）光刻胶（TARF 系列）
东京应化（TOK）TARF-P6111 ArF 干式正胶，65?90nm，宽工艺窗口，用于通用逻辑、CIS、成熟制程
东京应化（TOK）TARF-P7052 ArF 浸没式正胶，28?65nm，高分辨率低 LER，用于先进逻辑、高端 CIS
东京应化（TOK）TARF-P8000 高 NA ArF 浸没胶，14?28nm，RLS 平衡优，用于移动芯片、AI 核心芯片
东京应化（TOK）TARF-P9000 超高分辨率 ArF 胶，7?14nm，适配多重图形，用于先进逻辑、3D NAND
东京应化（TOK）TARF-N1000 ArF 负胶，高感度抗反射，用于接触孔、多层图形、先进存储
东京应化（TOK）EUV（13.5nm）光刻胶（EUVR 系列）
东京应化（TOK）EUVR-1000 EUV 标准正胶，7nm 节点，高稳定量产，用于台积电 7nm 先进逻辑
东京应化（TOK）EUVR-2000 EUV 高感度正胶，5nm 节点，低缺陷高良率，用于 GAA 结构、高端 AI 芯片
东京应化（TOK）EUVR-3000 EUV 金属增强正胶，3nm 及以下，极限分辨率，用于最先进逻辑制程
东京应化（TOK）封装 / 厚膜专用光刻胶
东京应化（TOK）PMER-P-CZ001 封装厚膜正胶，高宽比高耐蚀，用于 Bump、RDL、Fan?out 封装
东京应化（TOK）PMER-N-CA101 封装厚膜负胶，高附着高耐刻，用于 MEMS、TSV、深硅刻蚀
东京应化（TOK）封装 / 厚膜 / 后端光刻胶（全系列）
1）PMER 系列（正胶，Bump/RDL/ 电镀）
PMER-P-CZ001 正性厚膜光刻胶，10–50μm，高耐电镀，用于 Cu Pillar、Au Bump、RDL
PMER-P-CZ002 高分辨率正性厚膜胶，5–30μm，细线路 RDL、Microbump 专用
PMER-P-CZ003 高附着正胶，厚膜 50–100μm，Fan-out、TSV 厚膜光刻
PMER-N-CA101 负性厚膜光刻胶，高宽比、强抗刻蚀，MEMS、TSV 深硅刻蚀
PMER-N-CA102 高感度负胶，1–20μm，凸块 / 通孔成型、高附着耐湿
2）TP 系列（封装 / 通用厚膜）
TP-3000 标准 i 线厚膜正胶，1–10μm，封装、分立器件、功率器件
TP-3500 高耐热厚膜正胶，耐电镀 / 干刻，Bump、CIS、传感器
TP-4000 高分辨率厚膜正胶，细线宽、低缺陷，先进封装 RDL
3）TDMR-AR 系列（i 线厚膜，封装 / MEMS）
TDMR-AR80 HP 厚膜 i 线正胶，高宽比、高耐蚀，先进封装、厚膜光刻
TDMR-AR200 超高厚膜 i 线胶，20–100μm，MEMS、封装凸块、TSV
4）THMR-iPS 系列（高耐刻 i 线，封装 / 功率）
THMR-iPS100 高耐刻 i 线正胶，抗干法刻蚀强，IGBT、MOSFET、离子注入掩模
THMR-iPS200 高附着耐湿 i 线胶，封装、功率器件、长期稳定性优
5）Lift-off 专用（剥离工艺）
TLOR-N001PM 负性剥离胶，逆锥度剖面，1–6μm，蒸镀 / 溅射剥离工艺
6）永久性厚膜（MEMS / 封装保护）
TPMR-100 感光永久膜，固化后耐酸碱 / 溶剂，封装保护层、MEMS 结构
TPMR-200 高绝缘永久膜，低应力，Fan-out、RDL 绝缘层
一、g/i 线光刻胶（OFPR/TSMR/THMR-iP/TDMR-AR 系列）
东京应化（TOK）OFPR-800：通用 G 线正胶，高感度宽工艺窗口，用于 0.5μm-1μm 分立器件、PCB、成熟制程。
东京应化（TOK）OFPR-5000：厚膜 G 线正胶，高附着高耐刻，用于 MEMS、封装凸块、传感器图形化。
东京应化（TOK）TSMR-V90：高分辨率 I 线正胶，低缺陷高精度，用于 0.35μm-0.5μm 逻辑、CIS、功率器件。
东京应化（TOK）TSMR-2000：标准 I 线正胶，良率稳定通用性强，用于 0.35μm 节点晶圆代工、显示驱动 IC。
东京应化（TOK）TSMR-8000：超高分辨率 I 线正胶，细线宽高均匀，用于 0.25μm-0.35μm 高端成熟制程。
东京应化（TOK）TSMR-IN080：I 线负性光刻胶，强抗刻蚀，用于接触孔、通孔、存储器件隔离层。
东京应化（TOK）THMR-iP5700：高耐蚀 I 线正胶，抗干法刻蚀强，用于 IGBT、MOSFET、离子注入掩模。
东京应化（TOK）THMR-iPS100：高耐刻 I 线正胶，耐等离子体刻蚀，用于功率器件后段保护层。
东京应化（TOK）TDMR-AR80 HP：厚膜 I 线正胶，高宽比高耐蚀，用于先进封装、厚膜光刻、RDL 制程。
东京应化（TOK）TDMR-AR200：超高厚膜 I 线胶，20-100μm 适配，用于 MEMS、封装凸块、TSV 图形化。
二、KrF（248nm）光刻胶（TDUR 系列）
东京应化（TOK）TDUR-P3435：标准 KrF 正胶，90-130nm 通用，良率极高，用于逻辑、DRAM、Flash 量产。
东京应化（TOK）TDUR-P4197T：高分辨率 KrF 正胶，110nm 节点，线宽均匀性优，用于先进逻辑、低功耗芯片。
东京应化（TOK）TDUR-P5000：厚膜 KrF 正胶，500nm-1μm 膜厚，高宽比，用于 130nm CIS、功率半导体。
东京应化（TOK）TDUR-P6000：低 LER KrF 正胶，高密度图形优化，用于 90nm 存储、精细线路。
东京应化（TOK）TDUR-P6112：接触孔专用 KrF 胶，高分辨率低缺陷，用于 DRAM 存储单元、接触孔工艺。
东京应化（TOK）TDUR-P6159：高对比度 KrF 正胶，高工艺窗口，用于逻辑芯片栅极层图形化。
东京应化（TOK）TDUR-P7117：低缺陷 KrF 正胶，低颗粒高洁净，用于高端存储芯片、汽车电子。
东京应化（TOK）TDUR-P802：通用 KrF 正胶，高稳定性，用于 130nm 通用逻辑与模拟芯片。
东京应化（TOK）TDUR-N2000：KrF 负胶，高对比度抗刻蚀，用于接触孔、通孔、存储器件特殊结构。
三、ArF（193nm）光刻胶（TARF 系列）
东京应化（TOK）TARF-P6111：ArF 干式正胶，65-90nm，宽工艺窗口，用于通用逻辑、CIS、成熟制程。
东京应化（TOK）TARF-P7052：ArF 浸没式正胶，28-65nm，高分辨率低 LER，用于先进逻辑、高端 CIS、台积电 / 三星产线。
东京应化（TOK）TARF-P8000：高 NA ArF 浸没胶，14-28nm，RLS 平衡优，用于移动芯片、AI 核心芯片。
东京应化（TOK）TARF-P9000：超高分辨率 ArF 胶，7-14nm，适配多重图形，用于先进逻辑、3D NAND。
东京应化（TOK）TARF-N1000：ArF 负胶，高感度抗反射，用于接触孔、多层图形、先进存储。
四、EUV（13.5nm）光刻胶（EUVR 系列）
东京应化（TOK）EUVR-1000：EUV 标准正胶，7nm 节点，高稳定量产，用于台积电 7nm 先进逻辑。
东京应化（TOK）EUVR-2000：EUV 高感度正胶，5nm 节点，低缺陷高良率，用于 GAA 结构、高端 AI 芯片。
东京应化（TOK）EUVR-3000：EUV 金属增强正胶，3nm 及以下，极限分辨率，用于最先进逻辑制程。
五、湿式蚀刻剂 / 深干蚀刻阻
东京应化（TOK）OMR-100：橡胶型负性光刻胶，耐化学性强，用于湿法蚀刻工艺、侧蚀控制。
东京应化（TOK）OMR-85：通用橡胶型负胶，附着力优异，用于长湿法蚀刻工艺、PCB / 分立器件。
东京应化（TOK）深干蚀刻阻专用系列：耐等离子体刻蚀材料，高选择比，用于深硅刻蚀、TSV 工艺。
六、显影剂与冲洗解决方案
东京应化（TOK）NMD-3：2.38% TMAH 标准显影液，兼容 i 线 / KrF/ArF 光刻胶，用于常规显影工艺。
东京应化（TOK）显影冲洗专用系列：低颗粒高纯度冲洗液，用于光刻后晶圆清洗、缺陷控制。
七、稀释剂（光刻胶专用）
东京应化（TOK）专用光刻胶稀释剂：高纯度溶剂，适配全系列光刻胶，用于膜厚调整、工艺优化。
八、剥离解决方案（剥离液系列）
东京应化（TOK）Stripper-10：水溶性剥离液，无氯环保，用于正胶剥离，不腐蚀铝基底。
东京应化（TOK）Stripper-502A：无酚无氯剥离液，用于正负型光刻胶剥离，适配后段工艺。
东京应化（TOK）SST-A2：沉积物专用剥离液，适配离子注入后硬化胶，用于高污染工艺晶圆。
九、附着增强材料
东京应化（TOK）HMDS 系列：六甲基二硅氮烷表面处理剂，增强光刻胶与硅基底附着力，用于前道光刻工艺。
东京应化（TOK）AP 系列：专用附着力促进剂，适配金属 / 氧化物基底，用于先进封装与功率器件。
十、DSA 材料（定向自组装材料）
东京应化（TOK）DSA 系列定向自组装材料：嵌段共聚物材料，用于先进制程多重图形化、自对准工艺。
十一、反射多层材料
东京应化（TOK）BARC 系列抗反射涂层：适配 KrF/ArF 光刻工艺，降低基底反射，提升图形精度。
十二、薄膜形成材料
东京应化（TOK）有机 / 无机薄膜形成材料：Spin-on 硬掩模、底层膜，用于多层光刻工艺、先进制程图形转移。
一、起飞阻力（剥离 / 抗飞边专用）
东京应化（TOK）专用起飞阻力材料：光刻胶边缘抑制配方，减少边缘飞边与剥离残留，用于厚膜光刻、电镀凸块制程。
二、湿式蚀刻阻剂
东京应化（TOK）OMR-100：橡胶型负性光刻胶，耐强酸碱蚀刻，用于 PCB、分立器件湿法蚀刻。
东京应化（TOK）OFPR-800：通用正胶，耐中等强度蚀刻，用于封装基底、铝 / 铜线路湿法加工。
东京应化（TOK）OFPR-5000：厚膜正胶，耐长时间蚀刻，用于 MEMS、封装凸块湿法成型。
三、深干蚀刻阻
东京应化（TOK）专用深干蚀刻阻材料：高选择比有机硬掩模，耐等离子体 / 深硅刻蚀，用于 TSV、深槽刻蚀、MEMS 结构加工。
四、凸起形成抗阻（Bump / 凸块光刻胶）
东京应化（TOK）PMER-P-CZ001：正性厚膜光刻胶，10–50μm，高耐电镀，用于 Cu Pillar、Au Bump 凸块成型。
东京应化（TOK）PMER-P-CZ002：高分辨率正性厚膜胶，5–30μm，细线路 Microbump 专用，用于先进封装凸块。
东京应化（TOK）PMER-N-CA101：负性厚膜光刻胶，高宽比、强抗刻蚀，用于大尺寸凸块、高厚径比结构。
五、再分布层（RDL）光阻
东京应化（TOK）PMER-P-CZ003：高附着正胶，厚膜 50–100μm，Fan-out 封装 RDL、大尺寸晶圆线路成型。
东京应化（TOK）TP-4000：高分辨率厚膜正胶，细线宽、低缺陷，用于先进封装 RDL 精细线路与通孔光刻。
东京应化（TOK）TDMR-AR80 HP：厚膜 I 线正胶，高宽比高耐蚀，用于 RDL 通孔、高密度线路光刻。
六、显影剂与冲洗解决方案
东京应化（TOK）NMD-3：2.38% TMAH 标准显影液，兼容封装用正 / 负型光刻胶，用于常规显影工艺。
东京应化（TOK）专用冲洗液系列：低颗粒高纯度配方，用于光刻后晶圆清洗、RDL / 凸块缺陷控制。
七、稀释剂（封装光刻胶专用）
东京应化（TOK）专用光刻胶稀释剂：高纯度溶剂，适配全系列封装光刻胶，用于膜厚调整、工艺优化。
八、剥离解决方案（封装用剥离液）
东京应化（TOK）Stripper-10：水溶性剥离液，无氯环保，用于封装用正胶剥离，不腐蚀铜 / 铝基底。
东京应化（TOK）Stripper-502A：无酚无氯剥离液，用于封装用正负型光刻胶剥离，适配后段工艺。
东京应化（TOK）SST-A2：硬化胶专用剥离液，适配电镀 / 离子注入后硬化胶，用于高污染封装晶圆。
九、保护涂层材料
东京应化（TOK）TPMR-100：感光永久膜，固化后耐酸碱 / 溶剂，用于封装保护层、芯片钝化层。
东京应化（TOK）TPMR-200：高绝缘永久膜，低应力，用于 Fan-out、RDL 绝缘层、长期可靠性保护。
十、粘合剂（封装用胶）
东京应化（TOK）芯片键合胶系列：低应力高导热树脂，用于 Die Attach、Flip Chip 键合，提升封装可靠性。
东京应化（TOK）底部填充胶（Underfill）：低粘度高流动性配方，用于 BGA/CSP 底部填充，增强抗冲击性能。
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