艾锐孚(上海）新材料科技有限公司-华东地区化工原料与特种新材料代理供应商,日本富士胶片FUJIFILM半导体材料华东地区经销商，原厂原包，以优越的品质，合理的价格以及完善的售前售后服务得到新老客户的大力支持和好评，公司致力于化工产品和特种新材料产业的前沿技术和销售，联合众多进口化工品牌为客户打造最为舒适的服务。

在半导体制造的微缩征程中，光刻胶是将电路图案 “印刻” 在晶圆上的核心材料，而富士胶片 GAR 5101 作为ArF（193nm）干式光刻胶的标杆产品，凭借极致的分辨率、工艺稳定性与低缺陷特性，成为 65nm-130nm 成熟制程与特色工艺的关键耗材，承载着从逻辑芯片到功率器件的制造核心需求。

GAR 系列是专为193nm 干式曝光工艺打造的正性光刻胶，GAR 5101 更是该系列中适配性最广、性能均衡的旗舰型号富士胶片。区别于浸润式光刻胶（PTD FAiR/NTD FAiR 系列），它无需浸没液辅助，适配传统干式光刻设备，兼顾高量产效率与低成本优势，是先进制程与成熟工艺间的桥梁材料富士胶片。

日本富士胶片 FUJIFILM GAR 5101 应用领域

GAR 5101 凭借均衡的性能，广泛应用于65nm-130nm半导体制造的核心场景，同时适配特色工艺需求：
逻辑芯片：65/90nm 制程的 CPU、GPU 及物联网芯片的有源区、栅极、金属互联层制造；
存储芯片：90/130nm DRAM 的位线、字线及电容结构图形化；
功率器件：IGBT、MOSFET 的栅极、漂移区图形制造，适配车规级与工业级半导体的高可靠性要求；
传感器与先进封装：CMOS 图像传感器（CIS）的像素阵列、3D WLCSP 的重布线层（RDL）光刻工艺

艾锐孚(上海）新材料科技有限公司供应日本富士胶片 FUJIFILM GAR 5101系列：

Fujifilm（富士胶片）GAR 5001 为 ArF 干式光刻胶，标准分辨率高灵敏度，适用于 90-65nm 逻辑芯片非关键层与功率器件。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5002 为 ArF 干式光刻胶，宽工艺窗口低缺陷，适用于 65nm 成熟制程存储与模拟 IC。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5003 为 ArF 干式光刻胶，高抗刻蚀性强，适用于 45-65nm 半导体中层光刻工艺。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5011 为 ArF 干式光刻胶，高稳定性适配量产，适用于功率器件与显示驱动电路。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5012 为 ArF 干式光刻胶，低 LWR 高均匀性，适用于 65nm 逻辑芯片半关键层。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5013 为 ArF 干式光刻胶，高附着性耐化学性，适用于先进封装前道工艺。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6001 为 ArF 干式光刻胶，高分辨率宽窗口，适用于 65-45nm 逻辑与存储半关键层。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6002 为 ArF 干式光刻胶，高灵敏度适配量产，适用于 45nm 制程金属层光刻。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6011 为 ArF 干式光刻胶，低缺陷高密度成像，适用于 45nm 先进逻辑芯片。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6012 为 ArF 干式光刻胶，高抗蚀垂直剖面，适用于 DRAM 存储核心层工艺。
Fujifilm（富士胶片）GAR 7001 为 ArF 干式光刻胶，超高分辨率低粗糙度，适用于 45nm 逻辑芯片关键层。
Fujifilm（富士胶片）GAR 7011 为 ArF 干式光刻胶，高稳定多重曝光适配，适用于 CIS 与先进存储器件。
Fujifilm（富士胶片）GAR 8001 为 ArF 干式光刻胶，超薄胶层低收缩，适用于 45-28nm 干式延伸制程。
Fujifilm（富士胶片）GAR 8011 为 ArF 干式光刻胶，低缺陷高良率，适用于 28nm 成熟先进制程多层布线。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2000 为 ArF 浸没式光刻胶，正显影高分辨率，适用于 45-28nm 逻辑与存储非关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2000 为 ArF 浸没式光刻胶，正显影高分辨率，适用于 45-28nm 逻辑与存储非关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2001 为 ArF 浸没式光刻胶，宽工艺窗口高稳定性，适用于 45-28nm 接触孔与通孔层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2010 为 ArF 浸没式光刻胶，高均匀性低缺陷，适用于先进封装 RDL 制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2011 为 ArF 浸没式光刻胶，高良率适配量产，适用于 28nm 逻辑中层工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3000 为 ArF 浸没式光刻胶，高分辨率低 LWR，适用于 28-14nm 逻辑芯片关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3001 为 ArF 浸没式光刻胶，高抗刻蚀垂直剖面，适用于 DRAM 存储单元层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3010 为 ArF 浸没式光刻胶，多重图案化适配，适用于 14nm 先进逻辑制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3011 为 ArF 浸没式光刻胶，高稳定低缺陷，适用于 14-7nm 高端存储器件。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4000 为 ArF 浸没式光刻胶，超高分辨率，适用于 14-7nm 逻辑芯片核心层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4001 为 ArF 浸没式光刻胶，超薄胶层适配，适用于 7nm EUV 替代层工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4010 为 ArF 浸没式光刻胶，低 k1 工艺适配，适用于 7nm 高密度线路。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4011 为 ArF 浸没式光刻胶，高良率低缺陷，适用于 3D IC 与 Chiplet 封装。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2000 为 ArF 浸没式光刻胶，负显影高对比度，适用于 45-28nm 双重图案化。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2001 为 ArF 浸没式光刻胶，垂直侧壁低残留，适用于窄间距互连工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2010 为 ArF 浸没式光刻胶，高稳定适配量产，适用于 28nm 金属层光刻。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2011 为 ArF 浸没式光刻胶，低缺陷高良率，适用于先进存储中层工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3000 为 ArF 浸没式光刻胶，高分辨率负显影，适用于 28-14nm 逻辑关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3001 为 ArF 浸没式光刻胶，高抗刻蚀低 LWR，适用于 14-7nm 先进制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3010 为 ArF 浸没式光刻胶，多重曝光适配，适用于高端存储核心层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3011 为 ArF 浸没式光刻胶，超低缺陷，适用于 7nm 试产与量产工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1000 为 ArF 浸没式光刻胶，超薄胶层高灵敏度，适用于 14-7nm 薄膜光刻。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1001 为 ArF 浸没式光刻胶，低收缩高均匀性，适用于 3D 堆叠制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1010 为 ArF 浸没式光刻胶，高分辨率超薄成像，适用于高密度先进封装。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1011 为 ArF 浸没式光刻胶，高良率低缺陷，适用于 7nm 多层互连工艺。
Fujifilm（富士胶片）TCX 1000 为 ArF 浸没式顶涂材料，高疏水低溶出，适配基础型浸没光刻胶。
Fujifilm（富士胶片）TCX 1001 为 ArF 浸没式顶涂材料，工艺窗口宽，适配 FAiR-PTD 2000 系列。
Fujifilm（富士胶片）TCX 2000 为 ArF 浸没式顶涂材料，低缺陷高稳定性，适配中高端浸没光刻胶。
Fujifilm（富士胶片）TCX 2001 为 ArF 浸没式顶涂材料，高疏水防污染，适配 FAiR-PTD 3000/NTD 2000。
Fujifilm（富士胶片）TCX 3000 为 ArF 浸没式顶涂材料，超低溶出，适配高端浸没光刻胶。
Fujifilm（富士胶片）TCX 3001 为 ArF 浸没式顶涂材料，无氟环保型，适配 FAiR-PTD 4000/NTD 3000。
Fujifilm（富士胶片）FEU-2000 为极紫外（13.5nm）光刻胶，负色调高灵敏度，适用于 7nm 及以下逻辑芯片与高端存储制程。
Fujifilm（富士胶片）FEU-3000 为极紫外（13.5nm）光刻胶，低线宽粗糙度高抗刻蚀，适用于 3nm/2nm 先进逻辑芯片工艺。
Fujifilm（富士胶片）FEU-4000 为极紫外（13.5nm）光刻胶，高 NA 适配多重图案化，适用于 HBM3e 与 Chiplet 先进封装。
Fujifilm（富士胶片）OiR-305 为 i 线（365nm）光刻胶，通用型高灵敏度，适用于 0.35μm-0.18μm 成熟制程。
Fujifilm（富士胶片）OiR-620 为 i 线（365nm）光刻胶，高分辨率低 LWR，适用于逻辑芯片半关键层。
Fujifilm（富士胶片）OiR-674 为 i 线（365nm）光刻胶，反射基板适配，适用于铝 / 铜布线层光刻。
Fujifilm（富士胶片）OiR-906 为 i 线（365nm）光刻胶，高抗刻蚀性，适用于功率器件与驱动 IC。
Fujifilm（富士胶片）FHi-560EP 为 i 线（365nm）厚膜光刻胶，高附着性耐化学性，适用于 MEMS 与功率器件。
Fujifilm（富士胶片）HiPR-6500 为 g 线（436nm）光刻胶，g/i 线通用宽带曝光，适用于≥0.35μm 成熟制程。
Fujifilm（富士胶片）HPR-510 为 g 线（436nm）光刻胶，高灵敏度高良率，适用于低端 IC 与分立器件。
Fujifilm（富士胶片）HPR-600 为 g 线（436nm）厚膜光刻胶，高耐刻蚀性，适用于 PCB 与被动元件制造。
Fujifilm（富士胶片）SC-100 为聚异戊二烯基负胶，厚膜 1.8-10μm，适用于先进封装 Bumping 与 RDL 工艺。
Fujifilm（富士胶片）SC-200 为聚异戊二烯基负胶，高分辨率低残留，适用于窄间距互连工艺。
Fujifilm（富士胶片）IC Type 3 为聚异戊二烯基负胶，中厚膜 0.75-2μm，通用型适配多场景工艺。
Fujifilm（富士胶片）HNR-1000 为聚异戊二烯基负胶，高分辨率 0.5-1.4μm，适用于接近式曝光工艺。
Fujifilm（富士胶片）Durimide 7300 为光敏聚酰亚胺负胶，高耐热高绝缘，适用于先进封装钝化层。
Fujifilm（富士胶片）Durimide 8300 为光敏聚酰亚胺负胶，低应力高附着性，适用于 3D IC 与 Chiplet。
Fujifilm（富士胶片）LTC9300 为低温固化光敏聚酰亚胺，适用于柔性电子与显示面板封装
Fujifilm（富士胶片）FEP-1000 为电子束正性光刻胶，高分辨率高灵敏度，适用于掩模版制造与修复。
Fujifilm（富士胶片）FEP-2000 为电子束正性光刻胶，低 LWR 高均匀性，适用于 MEMS 与纳米器件制备。
Fujifilm（富士胶片）FEN-1000 为电子束负性光刻胶，高灵敏度高抗刻蚀，适用于纳米结构直写工艺。
Fujifilm（富士胶片）FEN-2000 为电子束负性光刻胶，高分辨率低缺陷，适用于先进封装定制化 RDL。
Fujifilm（富士胶片）NIL-1000 为纳米印刻光刻胶，低粘度高固化速度，适用于 10nm 及以下逻辑芯片制程。
Fujifilm（富士胶片）NIL-2000 为纳米印刻光刻胶，高分辨率低缺陷，适用于 Micro LED/OLED 显示像素制备。
Fujifilm（富士胶片）NIL-3000 为纳米印刻光刻胶，高抗刻蚀性，适用于先进封装高密度 RDL 工艺。
Fujifilm（富士胶片）NIL-4000 为纳米印刻光刻胶，高稳定性适配量产，适用于生物芯片与微流控器件。