艾锐孚(上海）新材料科技有限公司-华东地区化工原料与特种新材料代理供应商,JSR Corporation 日本合成橡胶株式会社半导体光刻胶材料华东地区经销商，原厂原包，以优越的品质，合理的价格以及完善的售前售后服务得到新老客户的大力支持和好评，公司致力于化工产品和特种新材料产业的前沿技术和销售，联合众多进口化工品牌为客户打造最为舒适的服务。

在半导体制造 90–120nm 成熟制程节点上，JSR AR2772JN是全球出货量最大、代工厂覆盖率最高、量产口碑最稳的ArF 干式（193nm）正型光刻胶，堪称半导体量产线上的 “标配万能胶”。它由日本 JSR（Japan Synthetic Rubber）公司研发生产，凭借均衡的性能、稳定的良率与宽泛的工艺窗口，成为逻辑、存储、MCU、CIS 等芯片量产的核心材料。

JSR Corporation JSR AR2772JN 核心性能特点:
均衡的分辨率与敏感度：适配 193nm 干式曝光，稳定实现 90–120nm 线宽图形，兼顾高分辨率与高曝光效率，适合大规模量产。
超宽工艺窗口（Process Window）：对曝光剂量、焦点偏移、涂胶厚度波动容忍度高，机台差异、批次波动影响小，良率稳定性极强，大幅降低量产调机成本。
优异的图形保真度与侧壁垂直性：曝光后图形边缘锐利、侧壁垂直度高，减少线宽粗糙度（LWR），保障后续刻蚀工艺精准转移图形。
高粘附性与耐刻蚀性：与硅、氧化硅、氮化硅等常见基底粘附力强，显影后图形不易脱落；耐干法刻蚀性能优异，减少刻蚀过程中的图形侵蚀。
低缺陷、高洁净度：严格控制微粒、金属杂质，适配高洁净度量产线，减少缺陷导致的良率损失。
兼容性强、易上手：适配主流 193nm 干式光刻机（如 ASML PAS5500），与常用显影液、底涂 / 抗反射层（BARC）兼容性好，新线导入快、工程师上手无门槛。

JSR Corporation JSR AR2772JN 核心应用场景（90–120nm 量产全覆盖）:
逻辑芯片：90–120nm 通用逻辑、MCU、微处理器（MPU）的核心层、金属层、接触孔层。
存储芯片：DRAM、Flash（NOR/NAND）的 90–120nm 制程量产，兼顾存储单元与周边电路。
图像传感器（CIS）：90–120nm 像素区、逻辑电路、焊盘层，适配高分辨率传感器量产。
功率器件与模拟芯片：90nm 及以上高压功率器件、运算放大器、电源管理芯片（PMIC）的关键图形层。
面板与先进封装：LCD/OLED 面板周边驱动电路、120nm 以上 WLCSP/TSV 封装前道图形。

在先进制程（7nm/5nm）竞争白热化的今天，90–120nm 成熟制程仍是全球半导体产能的 “基本盘”，支撑着消费电子、汽车电子、工业控制等海量市场需求。而AR2772JN，正是这个基本盘上不可或缺的 “压舱石”，见证并支撑着半导体产业从先进制程到成熟制程的全链条发展。

艾锐孚(上海）新材料科技有限公司供应JSR品牌半导体光刻胶系列型号如下：

一、G-line（436nm）正胶
JSR GX200：标准 G 线正胶，通用型，0.5μm 以上逻辑 / 分立器件
JSR GX300：高分辨率 G 线正胶，0.5μm 以上面板 / 周边电路

二、i-line（365nm）正胶
JSR IX305H：标准 i-line 正胶，高对比度，0.8–1μm 通用制程
JSR IX420H：高分辨率 i-line 正胶，0.5–0.8μm 逻辑 / 功率器件
JSR IX725D3G：低缺陷 i-line 正胶，0.5μm 高精度图形 / 传感器
JSR IX1025L：宽工艺窗口 i-line 正胶，0.35–0.5μm 成熟量产
JSR IX845：高粘附 i-line 正胶，反射基板 / 刻蚀制程
JSR IX910：高感度 i-line 正胶，高产能 / 低曝光量

三、i-line（365nm）负胶
JSR NFR105G：i-line 负胶，厚膜适配，MEMS / 功率器件
JSR NFR107：高粘附 i-line 负胶，厚膜图形 / 金属凸块前道
JSR NFR107K：耐刻蚀 i-line 负胶，干法刻蚀 /implant 工艺
JSR NFR115：高分辨率 i-line 负胶，细线条 / 高密度 MEMS

四、KrF（248nm）正胶（M/V 系列）
JSR M272JN：标准 KrF 正胶，180–250nm 逻辑 / 存储
JSR M425JB：高分辨率 KrF 正胶，130–180nm DRAM/Flash
JSR M402JB：宽工艺窗口 KrF 正胶，130nm 稳定量产
JSR M360Y：低 LER KrF 正胶，130nm 高密度线路 / 接触孔
JSR M520JB：高感度 KrF 正胶，130–180nm 快速曝光
JSR M620JB：低缺陷 KrF 正胶，130nm 高端逻辑 / 存储
JSR M720JB：高分辨率 KrF 正胶，130nm 高密度接触孔
JSR M820JB：厚膜 KrF 正胶，130nm 凸块 / 封装前道
JSR V146G：高感度 KrF 正胶，130–180nm 高速量产

五、ArF 干式（193nm Dry）正胶
AR 系列（通用 / 线宽）
JSR AR2772JN：标准 ArF 干式正胶，90–120nm 逻辑
JSR ARX2772JN：高耐蚀 ArF 干式正胶，90–120nm 刻蚀层
JSR AR3500JN：厚膜 ArF 干式正胶，120nm implant / 掩模层
AIM 系列（高分辨 / 接触孔）
JSR AIM9310JN：高分辨 ArF 干式正胶，85nm 线 / 密集图形
JSR AIM6779JN：接触孔专用 ArF 干式正胶，100nm Contact Hole
JSR AIM8500JN：低 LER ArF 干式正胶，90nm 高密度线路
JSR AIM7500JN：高感度 ArF 干式正胶，90nm 快速曝光
AEX 系列（超细线 / 高密度）
JSR AEX4459JN：超精细 ArF 干式正胶，65nm 关键层
JSR AEX4780J：超高密度 ArF 干式正胶，40nm 密集线
JSR AEX3791J：高精度接触孔 ArF 干式正胶，60nm Contact
JSR AEX2936J：低缺陷 ArF 干式正胶，65nm 高端逻辑
JSR AEX2055JN：高耐蚀 ArF 干式正胶，65nm 干法刻蚀层

六、ArF 浸没式（193nm Immersion）正胶
AIM-i 系列
JSR AIM-i9310：浸没式 ArF 正胶，28–40nm 逻辑
JSR AIM-i6779：浸没式接触孔 ArF 正胶，30–40nm Contact
JSR AIM-i8500：低 LER 浸没式 ArF 正胶，20–28nm 先进制程
AEX-i 系列
JSR AEX-i4459：浸没式高分辨 ArF 正胶，20–28nm 关键层
JSR AEX-i4780：浸没式超高密度 ArF 正胶，14–20nm 密集线
JSR AEX-i3791：浸没式高精度接触孔 ArF 正胶，20–28nm Contact
顶涂层（TCX）
JSR TCX-1000：浸没式顶涂层，防溶出 / 防水，适配 ArF 浸没
JSR TCX-2000：高耐水性顶涂层，7–28nm 浸没式光刻
JSR TCX-3000：低缺陷顶涂层，14nm 以下先进制程

七、EUV（极紫外）光刻胶
NeXAR?系列（主力）
JSR NeXAR-E100：EUV 正胶，7–5nm 先进逻辑
JSR NeXAR-E200：低 LER EUV 正胶，5–3nm 高端芯片
JSR NeXAR-E300：超高分辨 EUV 正胶，3nm 以下先进工艺
EXA 系列（高感度）
JSR EXA-1000：高感度 EUV 正胶，EUV 量产线
JSR EXA-2000：低缺陷高感度 EUV 正胶，5nm 以下
JSR EXA-3000：超高感度 EUV 正胶，3nm 以下高速量产

八、厚膜光刻胶（THB 系列，封装 / MEMS）
正胶（RDL/Bump/ 电镀）
JSR THB-151N：厚膜正胶，RDL / 电镀凸块
JSR THB-111：高解析厚膜正胶，5–10μm 厚膜图形
JSR THB-126：高粘附厚膜正胶，MEMS / 功率器件
JSR THB-806：低应力厚膜正胶，大尺寸凸块 / 封装
JSR THB-910：高耐温厚膜正胶，高温制程 / 后段封装
负胶（厚膜 / 功率器件）
JSR THB-N100：厚膜负胶，MEMS / 功率器件厚膜
JSR THB-N200：高分辨率厚膜负胶，细线条 MEMS
JSR THB-N300：高耐刻蚀厚膜负胶，干法刻蚀 / 深硅工艺

九、感光绝缘膜（ELPAC?，WPR/FG 系列）
JSR WPR-5100：深硅刻蚀感光绝缘膜，TSV / 先进封装
JSR WPR-5200：高耐温感光绝缘膜，高温键合 / 封装
JSR WPR-5300：低应力感光绝缘膜，大尺寸晶圆 / 超薄芯片
JSR FG-1000：低介电感光绝缘膜，高频器件 / 5G 芯片
JSR FG-2000：高绝缘性感光绝缘膜，功率器件 / 高压芯片
JSR FG-3000：高耐候感光绝缘膜，车规级 / 工业芯片

十、多层硬掩模 & 底层材料
SOC（有机硬掩模）
JSR SOC-100：有机硬掩模，ArF/EUV 多层光刻
JSR SOC-200：高碳含量有机硬掩模，高刻蚀选择比
JSR SOC-300：低缺陷有机硬掩模，7nm 以下先进制程
SOH（无机硬掩模）
JSR SOH-1000：无机硬掩模，高刻蚀选择比，3D NAND
JSR SOH-2000：高耐温无机硬掩模，高温刻蚀 / 沉积
JSR SOH-3000：低应力无机硬掩模，大尺寸 / 超薄晶圆
UL（抗反射底层）
JSR UL-100：抗反射底层，i-line/KrF/ArF 降低反射
JSR UL-200：高耐蚀抗反射底层，干法刻蚀 / 多层光刻
JSR UL-300：低缺陷抗反射底层，先进制程 / 高端芯片